Rambler's Top100Astronet    
  po tekstam   po klyuchevym slovam   v glossarii   po saitam   perevod   po katalogu
 
Na saite
Astrometriya
Astronomicheskie instrumenty
Astronomicheskoe obrazovanie
Astrofizika
Istoriya astronomii
Kosmonavtika, issledovanie kosmosa
Lyubitel'skaya astronomiya
Planety i Solnechnaya sistema
Solnce

Komptonovskoe rasseyanie

- uprugoe rasseyanie fotona na svobodnom elektrone. K. r. opredelyaet neprozrachnost' veshestva dlya zhestkih (vysokoenergichnyh) rentgenovskih i gamma-luchei. Ono igraet vazhnuyu rol' v atmosferah neitronnyh zvezd, v rentg. istochnikah, v nedrah zvezd. Chastnym sluchaem K. r. v predele nizkochastotnyh fotonov i maloenergichnyh elektronov yavl. tomsonovskoe rasseyanie. Rasseyanie fotona na pokoyashemsya elektrone v silu zakonov sohraneniya energii i kolichestva dvizheniya soprovozhdaetsya umen'sheniem energii fotona i peredachei ee elektronu. Eto yavlenie bylo eksperimental'no otkryto v 1922 g. amer. fizikom A. Komptonom, issledovavshim rasseyanie rentg. luchei v grafite, i izvestno kak effekt Komptona (kompton-effekt), ili effekt otdachi. Rasseyanie nizkochastotnyh fotonov na ul'trarelyativistskih elektronah privodit k uvelicheniyu (vo mnogo raz) energii fotonov - t.n. obratnyi kompton-effekt. Obratnyi kompton-effekt yavl. odnim iz vazhneishih mehanizmov formirovaniya spektrov rentgenovskogo i gamma-izlucheniya astronomich. ob'ektov.

Ris. 1. Zavisimost' secheniya komptonovskogo
rasseyaniya $\sigma$ ot parametra
$x=(2h\nu/m_ec^2)\cdot \gamma(1-\mu v/c)$.
Sechenie normirovano na $\sigma_T$.
Sechenie K. r. (sechenie Kleina-Nishiny-Tamma) zavisit ot parametra $x=(2h\nu/m_ec^2)\cdot \gamma(1-\mu v/c)$, gde $\nu$ - chastota fotona do rasseyaniya, ($\mu$ - kosinus ugla $\Theta$ mezhdu napravleniyami rasprostraneniya fotona i elektrona do rasseyaniya, v - skorost' elektrona do rasseyaniya, $\gamma=[1-(v/c)^2]^{-1/2}$ - lorenc-faktor elektrona. Eta zavisimost' privedena na ris. 1. V sluchae rasseyaniya na pokoyashemsya elektrone $x=2h\nu/m_ec^2$. V nerelyativistskom predele (pri $x\ll 1$) sechenie $\sigma$ medlenno umen'shaetsya: $\sigma=\sigma_T(1-x)$. V ul'trarelyativistskom predele ($x\gg 1$) ono bystro ubyvaet s rostom h: $\sigma=(3/4)\sigma_T\cdot x^{-1}(\ln x+1/2)$. T. o., dlya nizkochastotnyh fotonov sechenie rasseyaniya ravno secheniyu tomsonovskogo rasseyaniya $\sigma_T=(8\pi/3)(e^2/m_ec^2)= 6,65\cdot 10^{-25} \mbox{sm}^2$. Pri rasseyanii na pokoyashihsya elektronah indikatrisa rasseyaniya nizkochastotnyh fotonov releevskaya (sm. Releevskoe rasseyanie). Pri $h\nu\ge m_ec^2$ uvelichivaetsya veroyatnost' rasseyaniya vpered, t.e. v napravlenii rasprostraneniya fotona (sm. ris. 1 v st. Vzaimodeistvie izlucheniya s veshestvom).

Kak i tomsonovskoe rasseyanie, K. r. mozhet privodit' k zametnym polyarizac. effektam.

V processe K. r. izmenyayutsya chastota fotona i energiya elektrona. Chastota fotona posle rasseyaniya
$\nu'=\nu\;{1-\mu {v\over c}\over {1-\mu'{v\over c} + {h\nu\over {\gamma m_ec^2}}(1-\cos\alpha)}}$ , (1)
gde $\mu'$ - kosinus ugla $\Theta'$ mezhdu napravleniyami rasprostraneniya fotona posle rasseyaniya i elektrona do rasseyaniya, $\alpha$ - ugol rasseyaniya (ugol mezhdu napravleniyami rasprostraneniya fotona do i oposle rasseyaniya, ris. 2). Pri rasseyanii na pokoyashemsya elektrone (effekt Komptona)
$\nu'=\nu\;{1\over {1 + {h\nu\over {m_ec^2}}(1-\cos\alpha)}}$
ili
$\lambda'=\lambda + {h\over {m_ec}}(1-\cos\alpha)$ , (2)
t. e. dlina volny fotona $\lambda$ pri rasseyanii uvelichivaetsya, eto uvelichenie (proporcional'noe h i, sledovatel'no, imeyushee kvantovuyu prirodu) zavisit lish' ot ugla rasseyaniya. Velichina $\lambda_C=h/m_ec=0,024 $\AA naz. komptonovskoi dlinoi volny. Iz (2) vidno, chto izmenenie dliny volny fotona pri rasseyanii na nepodvizhnom elektrone ne prevyshaet $\lambda$ i, t.o., sushestvenno lish' dlya dostatochno korotkovolnovogo izlucheniya.

Ris. 2. Geometriya komptonovskogo rasseyaniya.
Sploshnye strelki - napravleniya dvizheniya
elektrona do i posle rasseyaniya,
volnistye - to zhe dlya fotona.
Pri K. r. zhestkogo fotona $\gamma_1$ s energiei $h\nu_1$ na elektrone imeetsya malaya veroyatnost' rozhdeniya nizkochastotnogo fotona $\gamma_2$ s energiei $h\nu_2 < h\nu_1$: $\gamma_1+{\rm e \to e} +\gamma_1+\gamma_2$. Etot process naz. dvoinym kompton-effektom. Rozhdenie nizkochastotnyh fotonov vsledstvie dvoinogo kompton-effekta mozhet konkurirovat' s tormoznym processom e+p$\to$e+p+$\gamma_t$ (sm. Tormoznoe izluchenie) lish' v ekstremal'no razrezhennoi i goryachei plazme na rannih stadiyah rasshireniya Vselennoi, v rentgenovskih i gamma-istochnikah.

Kompton-effekt ogranichivaet probeg zhestkih fotonov v veshestve. V rezul'tate mnogokratnyh rasseyanii zhestkii foton umen'shaet svoyu energiyu (otdavaya ee elektronam), perehodit v dr. oblast' spektra i pogloshaetsya vsledstvie fotoionizacii atomov. K. r. opredelyaet dlinu probega zhestkih rentg. fotonov (10 keV < $h\nu$ < 3 MeV) v razrezhennoi astrofizich. plazme. Rasseyanie zhestkih fotonov s $h\nu > 3$ keV na elektrone v atome vodoroda (ili dr. atoma) proishodit s tem zhe secheniem, chto i na svobodnom elektrone. Eto svyazano s tem, chto energiya, soobshaemaya elektronu v silu effekta otdachi, prevyshaet energiyu svyazi elektrona v atome vodoroda.

Pri rasseyanii nizkochastotnyh fotonov na ul'trarelyativistskih elektronah (obratnyi kompton-effekt) maksimal'na veroyatnost' rasseyaniya fotonov v napravlenii dvizheniya elektrona ($\mu'\sim 1$). Esli $h\nu/\gamma m_ec^2\ll 1$ to, kak sleduet iz (1), izmenenie chastoty fotona opisyvaetsya f-loi:
$\nu'=\nu\;{1-\mu {v\over c}\over {1-\mu'{v\over c}}}$ . (3)
T. o., pri rasseyanii nizkochastotnyh fotonov na ul'trarelyativistskih elektronah izmenenie chastoty proishodit tol'ko iz-za Doplera effekta (tak zhe, kak pri otrazhenii ot dvizhusheisya stenki), a sechenie rasseyaniya ravno tomsonovskomu (mala velichina h). Eto legko ponyat', poskol'ku v etom sluchae v sisteme pokoya elektrona proishodit klassich. tomsonovskoe rasseyanie. Sledovatel'no, obratnyi kompton-effekt, v otlichie ot kompton-effekta, yavl. chisto klassich. effektom (izmenenie chastoty ne zavisit ot h). Iz (3) takzhe sleduet, chto pri rasseyanii v napravlenii dvizheniya elektrona ($\mu'\sim 1$) proishodit znachit. uvelichenie chastoty fotona $\nu\sim\gamma^2\nu$. Chastota fotonov pri rasseyanii na izotropno raspredelennyh relyativistskih elektronah v srednem dolzhna uvelichivat'sya v $(4/3)\gamma^2$ raz. Takoe zhe sr. uvelichenie imeet mesto, esli fotony izotropnogo polya izlucheniya rasseivayutsya na puchke ul'trarelyativistskih elektronov. Esli elektrony imeyut stepennoe raspredelenie po energiyam $dN_e=K\varepsilon_e^{-\beta}\;d\varepsilon_e$ (dNe - koncentraciya relyativistskih elektronov v intervale energii ot $\varepsilon_e$, do $\varepsilon_e+d\varepsilon_e$, to spektr zhestkogo izlucheniya, formiruyushegosya v rezul'tate obratnogo kompton-effekta nizkochastotnyh fotonov, takzhe okazyvaetsya stepennym. Ego intensivnost' $I_\nu=B\nu^{-s}$ (K i B - konstanty), gde spektr. indeks $s=(\beta-1)/2$. Pri ochen' vysokih energiyah elektronov, kogda parametr h stanovitsya bol'shim, umen'shaetsya sechenie rasseyaniya, prirost energii fotonov pri rasseyanii stanovitsya men'she, chem $\sim\gamma^2\nu$. Eto privodit k otkloneniyu spektra zhestkogo izlucheniya ot stepennogo zakona. Asimptoticheski intensivnost' $I_\nu\sim\nu^{-\beta}\ln(h\nu kT_r/m_e^2c^4)$, gde Tr - temp-ra nizkochastotnyh fotonov.

Obratnyi kompton-effekt chasto schitayut osn. mehanizmom formirovaniya zhestkih stepennyh spektrov izlucheniya v kvazarah i yadrah galaktik. Etot process yavl. osn. prichinoi poter' energii relyativistskimi elektronami v izotropnom pole nizkochastotnogo izlucheniya (napr., v pole mikrovolnovogo fonovogo izlucheniya, zapolnyayushego Vselennuyu) ili v pole izlucheniya kompaktnyh ob'ektov. Harakternoe vremya poter' energii v takom pole izlucheniya $t\approx (3/4)m_e c/\sigma_T \varepsilon_r \gamma$, t.e. tem men'she, chem vyshe energiya elektrona ($\sim\gamma$) i plotnost' energii izlucheniya $\varepsilon_r$. Pri $\varepsilon_r>H^2/8\pi$, gde N - napryazhennost' magn. polya, poteri energii na obratnyi kompton-effekt prevyshayut poteri na sinhrotronnoe izluchenie.

K. r. mozhet proishodit' ne tol'ko na elektronah, no i na lyubyh dr. zaryazhennyh chasticah (napr., protonah). No poskol'ku sechenie K. r. obratno proporcional'no kvadratu massy, K. r. na tyazhelyh chasticah sushestvenno menee effektivno.

(R.A. Syunyaev)


Glossarii Astronet.ru


A | B | V | G | D | Z | I | K | L | M | N | O | P | R | S | T | U | F | H | C | Ch | Sh | E | Ya 
Publikacii s klyuchevymi slovami: komptonovskoe rasseyanie - kompton-effekt
Publikacii so slovami: komptonovskoe rasseyanie - kompton-effekt
Karta smyslovyh svyazei dlya termina KOMPTONOVSKOE RASSEYaNIE
Sm. takzhe:

Ocenka: 3.0 [golosov: 136]
 
O reitinge
Versiya dlya pechati Raspechatat'

Astronet | Nauchnaya set' | GAISh MGU | Poisk po MGU | O proekte | Avtoram

Kommentarii, voprosy? Pishite: info@astronet.ru ili syuda

Rambler's Top100 Yandeks citirovaniya